Pregled proizvoda
RTP oprema za oksidaciju i difuziju predstavlja temeljni termalni alat za poluvodiče, spajajući mogućnosti oksidacije, difuzije i žarenja u jednu jedinicu. Osmišljen je posebno za obradu materijala na bazi-silicija i poluvodiča sa širokim-pojasnim razmakom kao što je silicijev karbid-naslanjajući se na integriranu postavku procesa za fino-podešavanje dopinga materijala, pročišćavanje sučelja i oblikovanje struktura. Za osnovne proizvodne korake masovne proizvodnje pločica, ovu vrstu-sve-podrške teško je zamijeniti.
Tržište-dokazano tijekom vremena, njegova je struktura zrela i dovoljno stabilna da može pouzdano raditi na duge staze. Ono što je praktično je njegova sposobnost glatkog prebacivanja između procesa: oksidacije, difuzije, žarenja, guranja zamke-kako god hoćete. Ta fleksibilnost savršeno odgovara različitim proizvodnim potrebama integriranih sklopova, diskretnih uređaja i drugim scenarijima. Kada je riječ o rezultatima procesa, njegova precizna kontrola temperature i upravljanje procesom pogodili su stroge zahtjeve za poluvodiče-bez obzira radi li se o reguliranju električnih svojstava materijala ili izradi struktura uređaja.
Za poduzeća koja jure za učinkovitošću u-velikoj proizvodnji ili istraživačke timove koji istražuju nove procese poluvodičkih materijala, ova peć pruža. Od laboratorija za istraživanje i razvoj do tvorničkih podova, to je učinkovito, stabilno toplinsko rješenje koje pokriva cijeli lanac industrije poluvodiča-bez dodataka, samo dosljedna izvedba tamo gdje je važna.
Prijave
Masovna proizvodnja uređaja-na bazi silicija:
Pokreće temeljne procese za IC, IGBT i slične komponente-mislite na oksidaciju za izolacijske filmove, difuziju za precizno dopiranje i žarenje za brisanje nedostataka. Napravljen je da drži korak s -velikim rezultatima u potrošačkoj elektronici i industrijskim kontrolnim sektorima.
Obrada materijala sa širokim-pojasnim razmakom:
Uzima SiC, GaN i druge napredne materijale, fino-podešavajući razine dopinga i optimizirajući sučelja. Ovo izravno podupire izradu proizvoda visokih-učinkovitosti poput modula napajanja za nova energetska vozila.
Istraživanje i razvoj poluvodiča:
Djeluje kao fleksibilna više{0}}procesna platforma za sveučilišta i laboratorije. Bilo da testiraju galijev oksid ili druge nove materijale, istraživačima omogućuje jednostavnu promjenu procesa kako bi provjerili kako različiti parametri utječu na rezultate.
Prednosti
1. Sve-u-jednoj funkciji:
Besprijekorno prelazi između oksidacije, difuzije, žarenja i još mnogo toga-smanjuje troškove opreme i pojednostavljuje tijek rada za bolju učinkovitost.
2. Čvrsta -stabilnost:
Njegova je struktura izdržala test upotrebe na tržištu, tako da može raditi kontinuirano na duge staze s minimalnim zastojima.
3. Precizna kontrola procesa:
Vrh{0}}regulacija temperature i upravljanje procesima osiguravaju da svojstva materijala i kvaliteta uređaja ostanu dosljedni, što povećava ukupni prinos.
4. Široka kompatibilnost:
Radi s 8-inčnim-i-manjim pločicama, upravljajući masovnom proizvodnjom i istraživanjem i razvojem malih serija. Kompatibilan je sa silicijem, SiC i drugim ključnim poluvodičkim materijalima.
Parametri
|
Veličina oblatne |
8 inča i niže |
|
Raspon temperature |
400 stupnjeva -1200 stupnjeva (ovisno o specifičnom odabiru procesa) |
|
Količina procesnih cijevi |
1-4 tube/set |
|
Ravna zona |
300-1000 mm prilagodljivo |
|
Primjenjivi materijali |
silicij, silicij karbid, itd |
FAQ
P: Koje veličine vafla podržava oprema za oksidaciju i difuziju RTP?
O: Radi s pločicama od 8-inča i manjim-savršenim za potrebe obrade većine uobičajenih poluvodičkih uređaja-temeljenih na siliciju i širokopojasnih poluvodičkih uređaja.
P: Može li raspon kontrole temperature zadovoljiti procesne zahtjeve materijala sa širokim-pojasnim razmakom (npr. silicijev karbid)?
O: Apsolutno. Njegov temperaturni raspon kreće se od 400 stupnjeva do 1200 stupnjeva (možete odabrati točan raspon koji vam je potreban), plus dolazi s prilagodljivom zonom konstantne temperature-300 mm do 1000 mm. To savršeno odgovara zahtjevima visokotemperaturnog procesa za materijale poput silicijevog karbida.
P: Može li jedan uređaj izvoditi višestruke procesne tretmane u isto vrijeme?
O: Da, možete ga opremiti s 1 do 4 procesne cijevi. To vam omogućuje pokretanje višestrukih procesa-oksidacije, difuzije, žarenja, što god-jedan pored drugog fleksibilno. Bez obzira na to povećavate li kapacitet masovne proizvodnje ili provodite eksperimente s više-parametara za istraživanje, to vam odgovara.
P: Osim silicija, koje druge poluvodičke materijale može obraditi?
O: Kompatibilan je i s -poluvodičima širokog pojasa kao što je silicij karbid (SiC). Pokriva sve glavne slučajeve upotrebe za proizvodnju silicijevih-temeljenih i široko-pojasnih uređaja.
P: Može li se duljina zone konstantne temperature prilagoditi prema određenim procesima?
O: Naravno da može. Duljina zone konstantne temperature je prilagodljiva od 300 mm do 1000 mm. Na taj način odgovara potrebama za ujednačenošću kontrole temperature različitih veličina pločica i zahtjevima procesa.
Popularni tagovi: oprema za oksidaciju i difuziju rtp, proizvođači, dobavljači opreme za oksidaciju i difuziju rtp u Kini
