Fotorezist je mješavina polimera i nekih spojeva, među kojima je najvažniji generator fotokiseline (PAG). Kada fotoni pogode PAG, proizvodi se kiselina koja reagira s polimerom, razgrađuje ga i uzrokuje njegovo otapanje u razvijaču.
Fotolitografski fotorezist obično se dijeli na dvije vrste: pozitivni fotorezist i negativni fotorezist.
Pozitivni fotorezist: Izloženi dio je topiv u otopini razvijača, dok je neeksponirani dio netopljiv u otopini razvijača. Nakon razvijanja, preostali uzorak fotorezista na podlozi je isti kao ciljni uzorak na ploči maske.
Negativni fotorezist: Izloženi dio je netopljiv u otopini razvijača, dok je neeksponirani dio topiv u otopini razvijača. Preostali uzorak fotorezista na podlozi nakon razvijanja komplementaran je ciljnom uzorku na ploči maske.
Stoga, za pozitivan fotorezist, jetkanjem supstrata bez zaštite fotorezista nakon dovršetka fotolitografije i konačnim ispiranjem preostalog fotorezista, postiže se -proces konstrukcije poluvodičkih uređaja u jednom koraku na površini supstrata.
